Micro statique Fet Classe A GrooveTube 1B FET

Micro statique Fet Classe A GrooveTube 1B FET

190,00 €
TTC
Disponible sur Commande
GT-MD1B-FET
GrooveTube Model 1B FET - micro à condensateur avec circuit à transistor








GrooveTube Model 1B FET - micro à condensateur avec circuit à transistor








Notre capsule de conception Vintage est optimisée pour ajouter une touche de chaleur aux pistes de chants.
Ce micro est équipé de notre capsule en laiton de plus grande taille fabriquée à la main et munie d'une membrane au mylar hyper mince de 3 microns avec particules d'or pulvérisées. Il offre une chaleur sonore, une qualité de restitution et une richesse exceptionnelles pour les pistes de chants et d'instruments.

* Conception de capsule Vintage (sans disque) optimisée pour l'enregistrement des chants.
* Grande capsule en laiton (32 mm) munie d'une membrane au mylar hyper mince (26 mm) de 3 microns avec
particules d'or pulvérisées garantissant des prises de son aussi fidèles et détaillées que possible.
* Circuit à transistor travaillant en Classe A, pour un son riche et un niveau de bruit faible.
* Corps en acier inoxydable fini noir et assemblage tête/grille en acier inoxydable.
* Blindage magnétique assuré par un transformateur de sortie avec noyau en nickel fabriqué à la main.
* Adaptateur pour pied pivotant HM1 avec écrou de blocage (fourni).
* Mallette de rangement en aluminium résistant à l'humidité (fournie).
* Suspension anti-choc SM4 (en option).

réponse en fréquenceGrooveTubes-courbesduModel1BFET
structure polaire cardioïde

Caractéristiques

Topologie de préampli : Circuit à transistor travaillant en Classe A
Structure polaire : Fixe
Cardioïde

* Réponse en fréquence : 20 Hz - 18 kHz
* Bruit équivalent : 22 dB SPL - mesure pondérée A
* Sensibilité : 32 mV/Pa
* Niveau SPL max. : 134 dB
* Niveau de sortie max. : 3,2 V efficace avec une DHT de 1 %
* Impédance de charge type : > 500 É
* Impédance de sortie de la source : 200 É, isolation par transformateur
* Dimensions : 19 cm (L) x 6,4 cm (D)
* Poids : 0,68 kg
GT-MD1B-FET
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